ARM et TSMC ont signé un partenariat pluriannuel pour mettre au point un processus de gravure de puces en 7 nm FinFET. Aucune échéance n'est annoncée, mais il ne faut pas attendre une mise en œuvre à grande échelle avant 2018.

IBM, avec l'aide de Samsung et GlobalFoundries, entre autres, a produit l'été dernier la première puce en 7 nm. Une prouesse, car le silicium, le matériau de base habituel, n'est pas adapté à une gravure inférieure à 10 nm. IBM et ses partenaires ont ajouté un élément chimique, le germanium, et conçu un processus de lithographie EUV ultra précise.

À l'heure actuelle, les processeurs sont gravés en 14 nm maximum. L'A9 des derniers terminaux iOS est un peu particulier, car il est produit par deux fondeurs qui ne sont pas au même niveau : TSMC le fabrique en 16 nm, quand Samsung le fait 14 nm, un peu plus petit donc.

Pour l'iPhone 7, il se dit que TSMC a remporté le contrat grâce à sa gravure en 10 nm, sur laquelle Samsung ne pourrait pas s'aligner immédiatement. La rumeur est à prendre avec précaution, les bruits de couloir sur les fabricants de puces sont souvent inconstants.