Le Snapdragon 835 est le nouveau système-sur-puce de Qualcomm, dont la puce la plus récente était jusqu’à présent le Snapdragon 821. Le nouveau modèle, annoncé en tandem avec Samsung qui va le produire, exploite le procédé 10 nm FinFET, une gravure plus fine pour plus de transistors sur la même surface (jusqu’à 30% de plus) et une consommation d’énergie réduite.

Mi-octobre, le constructeur annonçait des gains de performance de 27%, pour une consommation énergétique réduite de 40% (lire : Apple A11 : en route vers un 10 nm plein de promesses). Qualcomm surenchérit en expliquant que l’empreinte des SoC de 10 nm, forcément plus réduite que celle des puces gravées en 14 nm, permet aux constructeurs d’intégrer des batteries plus grosses… ou de créer des smartphones plus fins.

L’A10 des iPhone 7 est gravé en 16 nm, ce qui laisse une belle marge de progression. La rumeur annonce d’ailleurs que TSMC, qui fournirait une fois encore Apple pour le SoC des futurs iPhone de l’année prochaine, gravera l’A11 en 10 nm.

Qualcomm n’a pas donné de détails très précis sur la disponibilité de sa nouvelle puce (premier semestre 2017), néanmoins on peut penser que les premières annonces de smartphones équipés commenceront à apparaître dès le début de l’année prochaine, par exemple à l’occasion du CES de Las Vegas en janvier. Le Galaxy S8, dont le lancement est plus ou moins prévu pour avril prochain, pourrait bien en profiter.