Panasonic a annoncé débuter ce mois-ci la production en masse de mémoire nouvelle génération ReRAM 64 Ko, une première mondiale.
Cette nouvelle génération de mémoire, baptisée ReRAM (Resistive RAM ou « mémoire à résistance ») est très rapide et consomme peu d’énergie. Elle offre des caractéristiques qui combinent les points forts de la DRAM, notamment ses performances d’accès en lecture et écriture, et ceux de la mémoire Flash (stabilité des informations inscrites même lorsque l’appareil est éteint). Ce type de mémoire devrait trouver place dans nos équipements électroniques dans les années à venir.
En appliquant une tension à un « memristor » (abréviation de « memory resistor » ou « mémoire à résistance »), on enregistre une résistance électrique forte ou faible grâce à une tension appliquée correspondant aux « 0 » et « 1 » du code binaire. Il suffit d’appliquer une autre tension pour changer la valeur de la résistance et « écrire » une autre information. Mais à la différence de la mémoire Flash, le procédé est plus simple et rapide : on n’a pas besoin de commencer par effacer les cellules de la ReRAM avant d’y réinscrire des nouvelles informations. D’autre part, les cellules de base sur lesquelles on agit ont une capacité de stockage plus limitée que celles de la mémoire Flash NAND, fournissant une plus grande souplesse d’utilisation.
Panasonic compte fabriquer un million de ReRAM par mois, en commençant par des microcircuits 8-bits (MN101LR) à la consommation électrique limitée et gravés en 0,18 µm. Le fabricant propose plusieurs « packages », avec des quantités de mémoire différentes. Il les destine dans un premier temps à des écrans LCD, des cartes RFiD, des convertisseurs analogiques/numériques de haute précision 12 bits, des équipements de sécurité… Plus tard, les ReRAM devraient se multiplier dans les produits électroniques et remplacer peu à peu notamment la mémoire Flash, la RAM et les disques SSD…
En appliquant une tension à un « memristor » (abréviation de « memory resistor » ou « mémoire à résistance »), on enregistre une résistance électrique forte ou faible grâce à une tension appliquée correspondant aux « 0 » et « 1 » du code binaire. Il suffit d’appliquer une autre tension pour changer la valeur de la résistance et « écrire » une autre information. Mais à la différence de la mémoire Flash, le procédé est plus simple et rapide : on n’a pas besoin de commencer par effacer les cellules de la ReRAM avant d’y réinscrire des nouvelles informations. D’autre part, les cellules de base sur lesquelles on agit ont une capacité de stockage plus limitée que celles de la mémoire Flash NAND, fournissant une plus grande souplesse d’utilisation.
Panasonic compte fabriquer un million de ReRAM par mois, en commençant par des microcircuits 8-bits (MN101LR) à la consommation électrique limitée et gravés en 0,18 µm. Le fabricant propose plusieurs « packages », avec des quantités de mémoire différentes. Il les destine dans un premier temps à des écrans LCD, des cartes RFiD, des convertisseurs analogiques/numériques de haute précision 12 bits, des équipements de sécurité… Plus tard, les ReRAM devraient se multiplier dans les produits électroniques et remplacer peu à peu notamment la mémoire Flash, la RAM et les disques SSD…
