Nous avons déjà parlé plusieurs fois de la gravure en 3 nm, attendue avec l'Apple A17 des prochains iPhone et probablement l'Apple M3. Une récente rumeur sur Weibo indique qu'Apple pourrait employer différents types de gravure en 3 nm pour la même puce : le "N3B" et le "N3E".

Petit rappel : la version de base du 3 nm de TSMC porte le nom de N3B et il est déjà en production, essentiellement pour Apple. Il offre des gains intéressants face au 5 nm déployé depuis quelques années dans une multitude d'appareils et de Mac — Apple A14 (des iPhone 12), A15, A16, M1, M2 — mais le coût de fabrication est élevé et le rendement est considéré comme moyen.

TSMC : le 3 nm va évoluer, le 2 nm en embuscade

Le rendement est assez simple à comprendre : il s'agit du nombre de puces utilisables sur un wafer, un support circulaire de grande taille. En effet, le processus de gravure n'est pas parfait et il arrive que des erreurs surviennent, ce qui implique la perte d'une ou plusieurs puces. Comme le prix d'un wafer est fixe, le coût de la puce va être déterminé en partie par ce rendement et il doit donc être le plus élevé possible.

Le processus N3E, lui, offre un rendement supérieur au N3B — un bon point — et des performances un rien plus élevées, mais avec une contrainte : certaines sections des puces (celles liées à la mémoire cache) font la même taille qu'en 5 nm. Ce point implique qu'une puce gravée en N3E va probablement être plus grosse qu'en N3B. Toute la question vient donc du gain en rendement, qui doit contrebalancer la perte en surface.